多维科技采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越，采用两种封装形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。
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TMR2104是多维科技推出的一款大动态范围的TMR线性传感器芯片。该芯片具有低功耗、高灵敏度以及优越的温度稳定性等优点。该芯片在输出开路情况下的工作电流典型值为33μA，在±80 Oe范围拟合条件下的灵敏度典型值为3.1 mV/V/Oe，非线Oe。该传感器可以在-40～125 °C的宽工作温度范围下正常使用。
MELEXIS MLX90397精准满足了1.8V微功率应用的需求，进一步完善了迈来芯丰富的磁力计产品组合。凭借其卓越的信噪比（SNR）性能，MLX90397助力设计师在噪声特性与功耗之间取得理想平衡，成为专为电池供电应用量身打造的杰出3D磁力计。
通常，在角度传感器的应用场合下，在多维科技TMR3001芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片的双轴输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。TMR3001采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计。
多维科技传感器芯片选型表提供TMR磁开关传感器芯片，TMR角度传感器芯片，TMR线性磁场传感器芯片，TMR齿轮传感器芯片，AMR磁开关传感器芯片，AMR角度传感器芯片，AMR线性磁场传感器芯片，AMR磁栅传感器芯片，薄膜型温度传感器芯片选型，基于单极、双极锁存、全极等类型，0~40V供电电压等、多种输出接口和敏感方向等。
多维科技生产的TMR2501、TMR2503、TMR2505线性传感器采用SSIP-4封装，在垂直方向测量磁场，与通行的霍尔器件完全兼容。对闭环电流传感器来说，电流传感器厂家只需改变一下磁传感器的偏置电阻值，无需更改PCB设计和产品结构既可直接替代霍尔器件。
描述-MDT（MultiDimension Technology Co., Ltd.）是一家成立于2010年的中国公司，专注于TMR磁性传感器的研发和生产。公司拥有独特的知识产权和先进的制造能力，能够满足高性能、低成本TMR磁性传感器的批量生产需求。MDT提供包括平面和Z轴TMR传感器、定制设计、ASIC设计、晶圆代工、定制传感器模块设计和应用解决方案等服务。其产品广泛应用于流量计、接近开关、水平传感器、电流传感器、磁场传感器、位置传感器、旋转编码器、电位计、齿轮速度传感器、速度传感器、钞票验证、ATM和自动售货机等领域。MDT还提供专利许可，使客户能够在其产品中使用其技术。
TMR2103是多维科技推出的一款大动态范围TMR线性传感器。该传感器具有高灵敏度、极低的磁滞、低功耗、优越的温度稳定性以及宽工作电压范围的优点。该传感器芯片在±30Oe范围拟合情况下的灵敏度典型值为6.0mV/V/Oe，磁滞的典型值为0.3Oe。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线mm。
传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。提交需求>
范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线mm。最小起订量：1
0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。提交需求>